ホーム »» アイテム一覧 アイテム一覧 / Public / 理工学部 / Keio Science and Technology Reports / 35(1982) / 35(7) 198208 並び順 : ID タイトル 最終更新日 作成日 ▲ ▼ 表示件数: 20 50 100 1 - 3 of 3 Items 表紙 Keio Science and Technology Reports. 35, 7 ( 1982 . 8 ) Effect of subband-interaction on relaxation time of hole in p-type silicon and germanium 武田, 京三郎 , 作井, 康司 , 田口, 明仁 , 坂田, 亮 Keio Science and Technology Reports. 35, 7 ( 1982 . 8 ) ,p. 123 - 138 裏表紙 Keio Science and Technology Reports. 35, 7 ( 1982 . 8 )