| アイテムタイプ |
Article |
| ID |
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| プレビュー |
| 画像 |
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| キャプション |
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| 本文 |
KO50001004-00350007-0123.pdf
| Type |
:application/pdf |
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| Size |
:567.2 KB
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| Last updated |
:Feb 13, 2015 |
| Downloads |
: 300 |
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| 本文公開日 |
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| タイトル |
| タイトル |
Effect of subband-interaction on relaxation time of hole in p-type silicon and germanium
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| カナ |
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| ローマ字 |
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| 別タイトル |
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| 著者 |
| 名前 |
武田, 京三郎
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| カナ |
タケダ, キョウザブロウ
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| ローマ字 |
Takeda, Kyozaburo
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| 所属 |
Department of Instrumentation Eng., Faculty of Science and Technology, Keio University
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| 所属(翻訳) |
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| 役割 |
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| 外部リンク |
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| 名前 |
作井, 康司
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| カナ |
サクイ, コウジ
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| ローマ字 |
Sakui, Koji
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| 所属 |
Department of Instrumentation Eng., Faculty of Science and Technology, Keio University
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| 所属(翻訳) |
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| 役割 |
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| 外部リンク |
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| 名前 |
田口, 明仁
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| カナ |
タグチ, アキヒト
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| ローマ字 |
Taguchi, Akihito
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| 所属 |
Department of Instrumentation Eng., Faculty of Science and Technology, Keio University
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| 所属(翻訳) |
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| 役割 |
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| 外部リンク |
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| 名前 |
坂田, 亮
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| カナ |
サカタ, マコト
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| ローマ字 |
Sakata, Makoto
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| 所属 |
Department of Instrumentation Eng., Faculty of Science and Technology, Keio University
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| 所属(翻訳) |
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| 役割 |
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| 外部リンク |
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| 版 |
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| 出版地 |
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| 出版者 |
| 名前 |
慶應義塾大学理工学部
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| カナ |
ケイオウ ギジュク ダイガク リコウガクブ
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| ローマ字 |
Keio gijuku daigaku rikogakubu
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| 日付 |
| 出版年(from:yyyy) |
1982
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| 出版年(to:yyyy) |
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| 作成日(yyyy-mm-dd) |
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| 更新日(yyyy-mm-dd) |
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| 記録日(yyyy-mm-dd) |
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| 形態 |
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| 上位タイトル |
| 名前 |
Keio Science and Technology Reports
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| 翻訳 |
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| 巻 |
35
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| 号 |
7
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| 年 |
1982
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| 月 |
8
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| 開始ページ |
123
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| 終了ページ |
138
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| ISSN |
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| ISBN |
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| DOI |
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| URI |
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| JaLCDOI |
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| NII論文ID |
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| 医中誌ID |
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| その他ID |
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| 博士論文情報 |
| 学位授与番号 |
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| 学位授与年月日 |
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| 学位名 |
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| 学位授与機関 |
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| 抄録 |
Considering the warping and the non-parabolicity of equi-energy surfaces and also the existence of three types of holes, we calculated the relaxation times of holes due to lattice scattering including the non-polar optical phonon scattering, the impurity scattering with neutral center as well as with ionized center scattering.
The effect of interaction between three subbands in the valence band is recognized most significantly in the non-polar optical phonon scattering of silicon. For silicon whose split-off energy is considerably small, it is very important to consider the effect of the subband-interaction if we want to estimate accurate values of relaxation times due to lattice scattering and also ionized impurity center scattering.
In highly doped samples (over 10¹⁷ cm⁻³), one should consider the effect of neutral center scattering with accurate screening distance.
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| 目次 |
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| キーワード |
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| NDC |
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| 注記 |
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| 言語 |
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| 資源タイプ |
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| ジャンル |
| Departmental Bulletin Paper
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| 著者版フラグ |
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| 関連DOI |
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| アクセス条件 |
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| 最終更新日 |
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| 作成日 |
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| 所有者 |
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| 更新履歴 |
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| インデックス |
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| 関連アイテム |
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