| アイテムタイプ |
Article |
| ID |
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| プレビュー |
| 画像 |
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| キャプション |
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| 本文 |
KAKEN_18H01501seika.pdf
| Type |
:application/pdf |
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| Last updated |
:Nov 14, 2022 |
| Downloads |
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| 本文公開日 |
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| タイトル |
| タイトル |
大規模光ネットワーク構成に向けた相変化型省電力光スイッチの研究
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| カナ |
ダイキボ ヒカリ ネットワーク コウセイ ニ ムケタ ソウヘンカガタ ショウデンリョク ヒカリ スイッチ ノ ケンキュウ
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| ローマ字 |
Daikibo hikari nettowāku kōsei ni muketa sōhenkagata shōdenryoku hikari suitchi no kenkyū
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| 別タイトル |
| 名前 |
Study on phase-change energy efficient optical switch for large-scale photonic network systems
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| カナ |
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| ローマ字 |
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| 著者 |
| 名前 |
津田, 裕之
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| カナ |
ツダ, ヒロユキ
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| ローマ字 |
Tsuda, Hiroyuki
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| 所属 |
慶應義塾大学・理工学部 (矢上) ・教授
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| 所属(翻訳) |
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| 役割 |
Research team head
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| 外部リンク |
科研費研究者番号 : 90327677
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| 名前 |
神成, 文彦
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| カナ |
カンナリ, フミヒコ
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| ローマ字 |
Kannari, Fumihiko
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| 所属 |
慶應義塾大学・理工学部 (矢上) ・教授
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| 所属(翻訳) |
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| 役割 |
Research team member
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| 外部リンク |
科研費研究者番号 : 40204804
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| 名前 |
桑原, 正史
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| カナ |
クワハラ, マサシ
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| ローマ字 |
Kuwahara, Masashi
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| 所属 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所・エレクトロニクス・製造領域・上級主任研究員
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| 所属(翻訳) |
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| 役割 |
Research team member
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| 外部リンク |
科研費研究者番号 : 60356954
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| 名前 |
斎木, 敏治
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| カナ |
サイキ, トシハル
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| ローマ字 |
Saiki, Toshiharu
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| 所属 |
慶應義塾大学・理工学部 (矢上) ・教授
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| 所属(翻訳) |
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| 役割 |
Research team member
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| 外部リンク |
科研費研究者番号 : 70261196
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| 名前 |
河島, 整
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| カナ |
カワシマ, ヒトシ
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| ローマ字 |
Kawashima, Hitoshi
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| 所属 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所・エレクトロニクス・製造領域・総括研究主幹
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| 所属(翻訳) |
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| 役割 |
Research team member
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| 外部リンク |
科研費研究者番号 : 90356840
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| 版 |
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| 出版地 |
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| 出版者 |
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| 日付 |
| 出版年(from:yyyy) |
2021
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| 出版年(to:yyyy) |
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| 作成日(yyyy-mm-dd) |
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| 更新日(yyyy-mm-dd) |
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| 記録日(yyyy-mm-dd) |
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| 形態 |
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| 上位タイトル |
| 名前 |
科学研究費補助金研究成果報告書
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| 翻訳 |
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| 巻 |
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| 号 |
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| 年 |
2020
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| 月 |
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| 開始ページ |
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| 終了ページ |
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| ISSN |
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| ISBN |
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| DOI |
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| URI |
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| JaLCDOI |
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| NII論文ID |
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| 医中誌ID |
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| その他ID |
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| 博士論文情報 |
| 学位授与番号 |
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| 学位授与年月日 |
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| 学位名 |
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| 学位授与機関 |
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| 抄録 |
相変化光スイッチに用いるGeSbTe合金にSeを添加して、波長1500 nmにおける吸収を低減し、光スイッチを低損失化できることを明らかにした。Seを添加したGeSbTe薄膜の複素屈折率（アモルファス状態、結晶状態）評価により、相変化光スイッチの性能指数も向上することも明らかにした。相変化材料を用いたマッハツェンダー型および方向性結合型の光三端子スイッチの最適化設計を行い、従来の設計に比較して良好な特性を示すことを明らかにした。
It was found that the loss of the phase-change optical switch could be reduced using Se doped GeSbTe alloy with reduction of absorption at a wavelength of 1500 nm. We had measured the complex index of Se doped GeSbTe thin film and confirmed that the figure of merit of the switch was also improved. We proposed optical triode using phase-change material with Mach-Zehnder interferometer configuration and with directional coupler configuration. Both structures were optimized, and they had better characteristics compared to the switch with the conventional design.
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| 目次 |
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| キーワード |
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| NDC |
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| 注記 |
研究種目 : 基盤研究 (B) (一般)
研究期間 : 2018～2020
課題番号 : 18H01501
研究分野 : 光機能素子
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| 言語 |
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| 資源タイプ |
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| ジャンル |
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| 著者版フラグ |
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| 関連DOI |
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| アクセス条件 |
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| 最終更新日 |
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| 作成日 |
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| 所有者 |
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| 更新履歴 |
| May 17, 2022 | | インデックス を変更 |
| Nov 14, 2022 | | 著者 名前,著者 カナ,著者 ローマ字,著者 所属,著者 所属(翻訳),著者 役割,著者 外部リンク,著者 著者ID,抄録 内容,注記 注記 を変更 |
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| インデックス |
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| 関連アイテム |
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