近赤外帯域のフェムト秒レーザパルス用に開発した高速撮像法であるSF-STAMP法を、テラヘルツ波長での2次元イメージングが可能なEOサンプリングと組み合わせることで、単一ショットのテラヘ ルツ波域バーストイメージング法を実現した。フェムト秒レーザパルス (中心波長800nm，パルス幅50fs) を用いて発生させたテラヘルツパルスを使い、計測試料の像をEO結晶上に結像させた．GaAsウェハ試料にフェムト秒レーザ光を斜入射することで，空間的にフォトキャリア生成開始時間の差を生じさせ，テラヘルツ波吸収が起きている範囲が時間とともに掃引される様子を撮影することで超高速イメージングの原理実証を行った．
In this study, SF-STAMP, which is an imaging method developed using femtosecond laser pulses in the near-infrared band, was combined with EO sampling, which enables two-dimensional imaging at terahertz wavelengths. We realized a novel terahertz wave ultrafast burst imaging method. Using femtosecond laser pulses (center wavelength of 800 nm, pulse width of 50 fs) as the light source, the image of the measurement sample was formed on the EO crystal using terahertz pulses. Thereafter, EO sampling was performed by a frequency-chirped femtosecond laser pulse to capture the two-dimensional image of the terahertz wave, and the spectral images of the femtosecond pulse were separated using an SF-STAMP optical system and imaged in different spaces of the CCD camera. By making femtosecond laser light incident at an angle to a GaAs wafer, we succeeded in capturing the dynamic expansion of photo-carrier generation area on the GaAs wafer.

研究種目 : 挑戦的研究(萌芽)
研究期間 : 2017～2018
課題番号 : 17K19080
研究分野 : 量子エレクトロニクス