慶應義塾大学学術情報リポジトリ(KOARA)KeiO Associated Repository of Academic resources

慶應義塾大学学術情報リポジトリ(KOARA)

ホーム  »»  アイテム一覧  »»  アイテム詳細

アイテム詳細

アイテムタイプ Article
ID
2020000008-20200142  
プレビュー
画像
thumbnail  
キャプション  
本文
2020000008-20200142.pdf
Type :application/pdf Download
Size :114.3 KB
Last updated :Feb 16, 2024
Downloads : 37

Total downloads since Feb 16, 2024 : 37
 
本文公開日
 
タイトル
タイトル 電位依存性イオンチャネルの機能発現メカニズムの解明  
カナ デンイ イゾンセイ イオン チャネル ノ キノウ ハツゲン メカニズム ノ カイメイ  
ローマ字 Den'i izonsei ion chaneru no kinō hatsugen mekanizumu no kaimei  
別タイトル
名前 Elucidation of the functional mechanism of voltage-dependent K+ channels  
カナ  
ローマ字  
著者
名前 大澤, 匡範  
カナ オオサワ, マサノリ  
ローマ字 Osawa, Masanori  
所属 慶應義塾大学薬学部教授  
所属(翻訳)  
役割 Research team head  
外部リンク  
 
出版地
 
出版者
名前 慶應義塾大学  
カナ ケイオウ ギジュク ダイガク  
ローマ字 Keiō gijuku daigaku  
日付
出版年(from:yyyy) 2021  
出版年(to:yyyy)  
作成日(yyyy-mm-dd)  
更新日(yyyy-mm-dd)  
記録日(yyyy-mm-dd)  
形態
1 pdf  
上位タイトル
名前 学事振興資金研究成果実績報告書  
翻訳  
 
 
2020  
 
開始ページ  
終了ページ  
ISSN
 
ISBN
 
DOI
URI
JaLCDOI
NII論文ID
 
医中誌ID
 
その他ID
 
博士論文情報
学位授与番号  
学位授与年月日  
学位名  
学位授与機関  
抄録
電位依存性K+チャネル(Kv)は神経伝達や心臓の拍動の源となる活動電位を担う。Kvの膜貫通領域は、膜電位を感受する電位センサードメイン(VSD)とK+透過路を形成するポアドメイン(PD)からなり、VSDの膜電位依存的構造変化によりPDのゲート開閉が誘起される。現在、膜電位非存在下の開状態のKvの立体構造は報告されているが、静止膜電位下の閉状態の構造は不明であり、Kvの膜電位依存的開閉機構は未解明である。そこで本研究では、VSDのヘリックスS1とS4にCys残基を1個ずつ導入し、これらの近接時に形成される分子内ジスルフィド(SS)結合を検出するSS-locking解析によりVSDの構造変化に伴う近接残基対の同定し、SS結合で安定化した機能構造の解析によるKvの膜電位依存的な構造変化機構の解明を目的とした。
本研究では古細菌Aeropyrum pernix由来のKvであるKvAPを解析対象とした。近年報告されたKvAPの立体構造を基に、S1は開状態でS4と近接するIle130を中心とした連続する5残基のいずれかを、S4は側鎖をS1側に向けた5残基のいずれかをCys残基に置換し、25種類のdouble Cys変異体を調製した。SS-locking解析の結果、S1とS4間の複数の近接残基対を同定した。これらの残基対は、単一の立体構造で同時に近接しえないため、それぞれのSS結合によりKvAPの異なるコンホメーションが安定化されたことが示唆された。各変異体構造はKvAPの開状態と閉状態の間の構造変化過程を反映している可能性がある。今後、各変異体の機能解析と立体構造解析を進めていく。
Voltage-dependent K+ channels play important roles in producing action potential, which causes neurotransmissions and heart beats. Transmembrane region of Kv is comprised of a pore domain possessing of a K+-permeation pathway with a gate and a voltage-sensing domain (VSD) regulating opening/closing of a gate at the center of the pore domain in a voltage-dependent manner. To date, three-dimensional structures of only depolarized state of Kv have been reported. However, no information is available for the structure of the resting state under polarized condition, and therefore, structural mechanism of the gating remains unknown. Here, we tried to capture the resting state structure by introducing a disulfide bond in VSD for the determination of the resting state structure, by using an archaea Kv channel, KvAP. We identified several pairs of the VSD residues that transiently come close to each other and form an S-S bond. Each structure captured by an S-S bond seems to reflect a conformation occurring during the voltage-dependent structural changes. The functional and structural analyses of these S-S locked KvAP are underway.
 
目次

 
キーワード
 
NDC
 
注記

 
言語
日本語  

英語  
資源タイプ
text  
ジャンル
Research Paper  
著者版フラグ
publisher  
関連DOI
アクセス条件

 
最終更新日
Feb 16, 2024 13:35:11  
作成日
Feb 16, 2024 13:35:11  
所有者
mediacenter
 
更新履歴
Feb 16, 2024    インデックス を変更
 
インデックス
/ Public / 塾内助成報告書 / 学事振興資金研究成果実績報告書 / 2020年度
 
関連アイテム
 

ランキング

最も多く閲覧されたアイテム
1位 731部隊と細菌戦 ... (392) 1st
2位 新自由主義に抗す... (361)
3位 物語に基づく反復... (339)
4位 出生率及び教育投... (254)
5位 光増感反応を用い... (248)

最も多くダウンロードされたアイテム
1位 中和滴定と酸塩基... (698) 1st
2位 アセトアニリドの... (531)
3位 日本における美容... (418)
4位 学生の勉強方法に... (417)
5位 Genotype-phenoty... (388)

LINK

慶應義塾ホームページへ
慶應義塾大学メディアセンターデジタルコレクション
慶應義塾大学メディアセンター本部
慶應義塾研究者情報データベース