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KAKEN_24656205seika  
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本文公開日
 
タイトル
タイトル キャリア濃度制御に基づく有機トランジスタのデバイス設計とスケーリング則の確立  
カナ キャリア ノウド セイギョ ニ モトズク ユウキ トランジスタ ノ デバイス セッケイ ト スケーリングソク ノ カクリツ  
ローマ字 Kyaria nodo seigyo ni motozuku yuki toranjisuta no debaisu sekkei to sukeringusoku no kakuritsu  
別タイトル
名前 Establishment of device design and scaling for organic transistors with carrier concentration control  
カナ  
ローマ字  
著者
名前 野田, 啓  
カナ ノダ, ケイ  
ローマ字 Noda, Kei  
所属 慶應義塾大学・理工学部・講師  
所属(翻訳)  
役割 Research team head  
外部リンク 科研費研究者番号 : 30372569

名前 和田, 恭雄  
カナ ワダ, ヤスオ  
ローマ字 Wada, Yasuo  
所属 元東洋大学・学際融合研究科・教授  
所属(翻訳)  
役割 Research team member  
外部リンク 科研費研究者番号 : 50386736

名前 山田, 啓文  
カナ ヤマダ, ヒロフミ  
ローマ字 Yamada, Hirofumi  
所属 京都大学・工学研究科・准教授  
所属(翻訳)  
役割 Research team member  
外部リンク 科研費研究者番号 : 40283626
 
出版地
 
出版者
名前  
カナ  
ローマ字  
日付
出版年(from:yyyy) 2014  
出版年(to:yyyy)  
作成日(yyyy-mm-dd)  
更新日(yyyy-mm-dd)  
記録日(yyyy-mm-dd)  
形態
1 pdf  
上位タイトル
名前 科学研究費補助金研究成果報告書  
翻訳  
 
 
2013  
 
開始ページ  
終了ページ  
ISSN
 
ISBN
 
DOI
URI
JaLCDOI
NII論文ID
 
医中誌ID
 
その他ID
 
博士論文情報
学位授与番号  
学位授与年月日  
学位名  
学位授与機関  
抄録
有機電界効果トランジスタ(OFET)の高性能化に向けて、分子性ドーパントによる電荷ドーピングを活用した新しい素子構造を提案し、デバイスシミュレーション及び実験の両面からその有用性を実証した。また、デバイススケーリング則の確立に向けて、現実のOFETデバイスに必ず存在するキャリア注入障壁(ショットキー障壁)を考慮したデバイスシミュレーションを新たに実施すると共に、単一素子の電気特性のみを用いて、ゲート電圧に依存した接触抵抗やチャネルパラメータ(電界効果移動度など)を分離抽出して評価する方法を新たに考案した。
Device structures utilizing charge carrier doping with molecular dopants were newly proposed for improving and controlling device performance of organic field-effect transistors (OFETs), and those availabilities were confirmed by both device simulations and experiments. In addition, toward establishing device scaling rules, a new methodology for extracting gate-voltage-dependent contact resistance and channel parameters (e.g., field-effect mobility) from the electrical characteristics of a single OFET device was developed as well as a new device simulation technique considering carrier injection barriers (Schottky barriers) for realistic OFET devices.
 
目次

 
キーワード
有機トランジスタ  

電荷ドーピング  

キャリア濃度  

デバイスシミュレーション  
NDC
 
注記
研究種目 : 挑戦的萌芽研究
研究期間 : 2012~2013
課題番号 : 24656205
研究分野 : 電気電子工学
科研費の分科・細目 : 電子・電気材料工学
 
言語
日本語  
資源タイプ
text  
ジャンル
Research Paper  
著者版フラグ
publisher  
関連DOI
アクセス条件

 
最終更新日
Dec 11, 2014 11:40:09  
作成日
Dec 11, 2014 11:40:09  
所有者
mediacenter
 
更新履歴
 
インデックス
/ Public / 科学研究費補助金研究成果報告書 / 2013年度 / 日本学術振興会
 
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