| Item Type |
Article |
| ID |
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| Caption |
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| Full text |
KAKEN_24656205seika.pdf
| Type |
:application/pdf |
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| Last updated |
:Dec 11, 2014 |
| Downloads |
: 1585 |
Total downloads since Dec 11, 2014 : 1585
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| Release Date |
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| Title |
| Title |
キャリア濃度制御に基づく有機トランジスタのデバイス設計とスケーリング則の確立
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| Kana |
キャリア ノウド セイギョ ニ モトズク ユウキ トランジスタ ノ デバイス セッケイ ト スケーリングソク ノ カクリツ
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| Romanization |
Kyaria nodo seigyo ni motozuku yuki toranjisuta no debaisu sekkei to sukeringusoku no kakuritsu
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| Other Title |
| Title |
Establishment of device design and scaling for organic transistors with carrier concentration control
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| Kana |
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| Romanization |
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| Creator |
| Name |
野田, 啓
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| Kana |
ノダ, ケイ
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| Romanization |
Noda, Kei
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| Affiliation |
慶應義塾大学・理工学部・講師
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| Affiliation (Translated) |
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| Role |
Research team head
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| Link |
科研費研究者番号 : 30372569
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| Name |
和田, 恭雄
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| Kana |
ワダ, ヤスオ
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| Romanization |
Wada, Yasuo
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| Affiliation |
元東洋大学・学際融合研究科・教授
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| Affiliation (Translated) |
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| Role |
Research team member
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| Link |
科研費研究者番号 : 50386736
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| Name |
山田, 啓文
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| Kana |
ヤマダ, ヒロフミ
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| Romanization |
Yamada, Hirofumi
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| Affiliation |
京都大学・工学研究科・准教授
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| Affiliation (Translated) |
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| Role |
Research team member
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| Link |
科研費研究者番号 : 40283626
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| Edition |
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| Place |
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| Publisher |
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| Date |
| Issued (from:yyyy) |
2014
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| Issued (to:yyyy) |
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| Created (yyyy-mm-dd) |
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| Updated (yyyy-mm-dd) |
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| Captured (yyyy-mm-dd) |
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| Physical description |
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| Source Title |
| Name |
科学研究費補助金研究成果報告書
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| Name (Translated) |
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| Volume |
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| Issue |
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| Year |
2013
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| Month |
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| Start page |
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| End page |
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| ISSN |
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| ISBN |
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| DOI |
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| URI |
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| JaLCDOI |
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| NII Article ID |
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| Ichushi ID |
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| Other ID |
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| Doctoral dissertation |
| Dissertation Number |
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| Date of granted |
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| Degree name |
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| Degree grantor |
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| Abstract |
有機電界効果トランジスタ(OFET)の高性能化に向けて、分子性ドーパントによる電荷ドーピングを活用した新しい素子構造を提案し、デバイスシミュレーション及び実験の両面からその有用性を実証した。また、デバイススケーリング則の確立に向けて、現実のOFETデバイスに必ず存在するキャリア注入障壁(ショットキー障壁)を考慮したデバイスシミュレーションを新たに実施すると共に、単一素子の電気特性のみを用いて、ゲート電圧に依存した接触抵抗やチャネルパラメータ(電界効果移動度など)を分離抽出して評価する方法を新たに考案した。
Device structures utilizing charge carrier doping with molecular dopants were newly proposed for improving and controlling device performance of organic field-effect transistors (OFETs), and those availabilities were confirmed by both device simulations and experiments. In addition, toward establishing device scaling rules, a new methodology for extracting gate-voltage-dependent contact resistance and channel parameters (e.g., field-effect mobility) from the electrical characteristics of a single OFET device was developed as well as a new device simulation technique considering carrier injection barriers (Schottky barriers) for realistic OFET devices.
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| Table of contents |
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| Keyword |
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| NDC |
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| Note |
研究種目 : 挑戦的萌芽研究
研究期間 : 2012～2013
課題番号 : 24656205
研究分野 : 電気電子工学
科研費の分科・細目 : 電子・電気材料工学
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| Language |
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| Type of resource |
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| Genre |
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| Text version |
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| Related DOI |
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| Access conditions |
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| Last modified date |
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| Creation date |
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| Registerd by |
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| History |
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| Index |
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| Related to |
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