アイテムタイプ |
Article |
ID |
|
プレビュー |
画像 |
|
キャプション |
|
|
本文 |
KO50001004-00340002-0039.pdf
Type |
:application/pdf |
Download
|
Size |
:326.1 KB
|
Last updated |
:Feb 12, 2015 |
Downloads |
: 454 |
Total downloads since Feb 12, 2015 : 454
|
|
本文公開日 |
|
タイトル |
タイトル |
Density of states and effective mass of heavy, light and split-off holes near the valence vand edge of silicon
|
カナ |
|
ローマ字 |
|
|
別タイトル |
|
著者 |
名前 |
武田, 京三郎
|
カナ |
タケダ, キョウザブロウ
|
ローマ字 |
Takeda, Kyozaburo
|
所属 |
Department of Instrumentation Faculty of Engineering Keio University
|
所属(翻訳) |
|
役割 |
|
外部リンク |
|
名前 |
作井, 康司
|
カナ |
サクイ, コウジ
|
ローマ字 |
Sakui, Koji
|
所属 |
Department of Instrumentation Faculty of Engineering Keio University
|
所属(翻訳) |
|
役割 |
|
外部リンク |
|
名前 |
坂田, 亮
|
カナ |
サカタ, マコト
|
ローマ字 |
Sakata, Makoto
|
所属 |
Department of Instrumentation Faculty of Engineering Keio University
|
所属(翻訳) |
|
役割 |
|
外部リンク |
|
|
版 |
|
出版地 |
|
出版者 |
名前 |
慶應義塾大学工学部
|
カナ |
ケイオウ ギジュク ダイガク コウガクブ
|
ローマ字 |
Keio gijuku daigaku kogakubu
|
|
日付 |
出版年(from:yyyy) |
1981
|
出版年(to:yyyy) |
|
作成日(yyyy-mm-dd) |
|
更新日(yyyy-mm-dd) |
|
記録日(yyyy-mm-dd) |
|
|
形態 |
|
上位タイトル |
名前 |
Keio Science and Technology Reports
|
翻訳 |
|
巻 |
34
|
号 |
2
|
年 |
1981
|
月 |
9
|
開始ページ |
39
|
終了ページ |
47
|
|
ISSN |
|
ISBN |
|
DOI |
|
URI |
|
JaLCDOI |
|
NII論文ID |
|
医中誌ID |
|
その他ID |
|
博士論文情報 |
学位授与番号 |
|
学位授与年月日 |
|
学位名 |
|
学位授与機関 |
|
|
抄録 |
The density of states and effective masses for the three types of subbands holes of silicon are investigated using the result of calculation for two energy band structures (DKK model and Kane model) with various band parameters obtained from the cyclotron experiments.
For DKK model the influences of the anisotropy in equi-energy surfaces are represented as modified coefficients. For Kane model those of the anisotropy and non-parabolicity in equi-energy surfaces are represented by modified functions. The limiting values of the density of states and effective masses at E=0 for heavy and light holes from Kane model coincide with those of DKK model and also for split-off holes. The influences of varying the values of band parameters are pronounced in the curvature of the density of states (or effective mass-ratio) and also found in the asymptotic values of three subbands holes.
|
|
目次 |
|
キーワード |
|
NDC |
|
注記 |
|
言語 |
|
資源タイプ |
|
ジャンル |
Departmental Bulletin Paper
|
|
著者版フラグ |
|
関連DOI |
|
アクセス条件 |
|
最終更新日 |
|
作成日 |
|
所有者 |
|
更新履歴 |
|
インデックス |
|
関連アイテム |
|