ナノスケール半導体電子デバイスにおける, 動作時温度分布の測定・解析および温度上昇が性能に与える影響の評価を行った。その結果, 熱特性の最適化によって次世代立体構造トランジスタの消費電力を性能を低下させることなく低減できることを示した。また, ナノスケールの電子デバイスでは, 従来の熱特性評価手法では温度を正しく見積もれないことをナノワイヤ熱物性の測定から実験的に明らかにした。
In this research, the temperature distributions of operated nanoscale electron devices and the impacts of its temperature increase on device performances were investigated. From electrical and thermal device simulations, a low-power device design strategy for nanoscale 3D transistors was proposed by optimizing thermal characteristics. Furthermore, from experimental evaluations of thermal conductivity of silicon nanowires, it was clarified that conventional thermal evaluation methods might contain some errors in estimations of operation tempeartures in nanoscale semiconductor electron devices.

研究種目 : 若手研究(B)
研究期間 : 2014～2016
課題番号 : 26870574
研究分野 : 電子デバイス