| アイテムタイプ |
Article |
| ID |
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| プレビュー |
| 画像 |
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| キャプション |
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| 本文 |
KAKEN_24656205seika.pdf
| Type |
:application/pdf |
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| Last updated |
:Dec 11, 2014 |
| Downloads |
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| 本文公開日 |
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| タイトル |
| タイトル |
キャリア濃度制御に基づく有機トランジスタのデバイス設計とスケーリング則の確立
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| カナ |
キャリア ノウド セイギョ ニ モトズク ユウキ トランジスタ ノ デバイス セッケイ ト スケーリングソク ノ カクリツ
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| ローマ字 |
Kyaria nodo seigyo ni motozuku yuki toranjisuta no debaisu sekkei to sukeringusoku no kakuritsu
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| 別タイトル |
| 名前 |
Establishment of device design and scaling for organic transistors with carrier concentration control
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| カナ |
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| ローマ字 |
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| 著者 |
| 名前 |
野田, 啓
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| カナ |
ノダ, ケイ
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| ローマ字 |
Noda, Kei
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| 所属 |
慶應義塾大学・理工学部・講師
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| 所属(翻訳) |
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| 役割 |
Research team head
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| 外部リンク |
科研費研究者番号 : 30372569
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| 名前 |
和田, 恭雄
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| カナ |
ワダ, ヤスオ
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| ローマ字 |
Wada, Yasuo
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| 所属 |
元東洋大学・学際融合研究科・教授
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| 所属(翻訳) |
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| 役割 |
Research team member
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| 外部リンク |
科研費研究者番号 : 50386736
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| 名前 |
山田, 啓文
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| カナ |
ヤマダ, ヒロフミ
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| ローマ字 |
Yamada, Hirofumi
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| 所属 |
京都大学・工学研究科・准教授
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| 所属(翻訳) |
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| 役割 |
Research team member
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| 外部リンク |
科研費研究者番号 : 40283626
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| 版 |
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| 出版地 |
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| 出版者 |
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| 日付 |
| 出版年(from:yyyy) |
2014
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| 出版年(to:yyyy) |
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| 作成日(yyyy-mm-dd) |
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| 更新日(yyyy-mm-dd) |
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| 記録日(yyyy-mm-dd) |
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| 形態 |
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| 上位タイトル |
| 名前 |
科学研究費補助金研究成果報告書
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| 翻訳 |
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| 巻 |
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| 号 |
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| 年 |
2013
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| 月 |
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| 開始ページ |
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| 終了ページ |
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| ISSN |
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| ISBN |
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| DOI |
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| URI |
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| JaLCDOI |
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| NII論文ID |
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| 医中誌ID |
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| その他ID |
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| 博士論文情報 |
| 学位授与番号 |
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| 学位授与年月日 |
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| 学位名 |
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| 学位授与機関 |
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| 抄録 |
有機電界効果トランジスタ(OFET)の高性能化に向けて、分子性ドーパントによる電荷ドーピングを活用した新しい素子構造を提案し、デバイスシミュレーション及び実験の両面からその有用性を実証した。また、デバイススケーリング則の確立に向けて、現実のOFETデバイスに必ず存在するキャリア注入障壁(ショットキー障壁)を考慮したデバイスシミュレーションを新たに実施すると共に、単一素子の電気特性のみを用いて、ゲート電圧に依存した接触抵抗やチャネルパラメータ(電界効果移動度など)を分離抽出して評価する方法を新たに考案した。
Device structures utilizing charge carrier doping with molecular dopants were newly proposed for improving and controlling device performance of organic field-effect transistors (OFETs), and those availabilities were confirmed by both device simulations and experiments. In addition, toward establishing device scaling rules, a new methodology for extracting gate-voltage-dependent contact resistance and channel parameters (e.g., field-effect mobility) from the electrical characteristics of a single OFET device was developed as well as a new device simulation technique considering carrier injection barriers (Schottky barriers) for realistic OFET devices.
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| 目次 |
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| キーワード |
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| NDC |
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| 注記 |
研究種目 : 挑戦的萌芽研究
研究期間 : 2012～2013
課題番号 : 24656205
研究分野 : 電気電子工学
科研費の分科・細目 : 電子・電気材料工学
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| 言語 |
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| 資源タイプ |
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| ジャンル |
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| 著者版フラグ |
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| 関連DOI |
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| アクセス条件 |
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| 最終更新日 |
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| 作成日 |
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| 所有者 |
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| 更新履歴 |
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| インデックス |
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| 関連アイテム |
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