アイテムタイプ |
Article |
ID |
|
プレビュー |
画像 |
|
キャプション |
|
|
本文 |
KO50001004-00180069-0018.pdf
Type |
:application/pdf |
Download
|
Size |
:307.2 KB
|
Last updated |
:Oct 27, 2014 |
Downloads |
: 498 |
Total downloads since Oct 27, 2014 : 498
|
|
本文公開日 |
|
タイトル |
タイトル |
The transient temperature measurement of transistor junctions under pulse operation
|
カナ |
|
ローマ字 |
|
|
別タイトル |
|
著者 |
名前 |
鈴木, 登紀男
|
カナ |
スズキ, トキオ
|
ローマ字 |
Suzuki, Tokio
|
所属 |
Associate Professor, Faculty of Engineering, Keio University
|
所属(翻訳) |
|
役割 |
|
外部リンク |
|
名前 |
広瀬, 治男
|
カナ |
ヒロセ, ハルオ
|
ローマ字 |
Hirose, Haruo
|
所属 |
Graduate Student, Doctor Course, Graduate School of Engineering, Keio University
|
所属(翻訳) |
|
役割 |
|
外部リンク |
|
|
版 |
|
出版地 |
|
出版者 |
名前 |
慶応義塾大学藤原記念工学部
|
カナ |
ケイオウ ギジュク ダイガク フジワラ キネン コウガクブ
|
ローマ字 |
Keio gijuku daigaku Fujiwara kinen kogakubu
|
|
日付 |
出版年(from:yyyy) |
1965
|
出版年(to:yyyy) |
|
作成日(yyyy-mm-dd) |
|
更新日(yyyy-mm-dd) |
|
記録日(yyyy-mm-dd) |
|
|
形態 |
|
上位タイトル |
名前 |
Proceedings of the Fujihara Memorial Faculty of Engineering Keio University
|
翻訳 |
慶応義塾大学藤原記念工学部研究報告
|
巻 |
18
|
号 |
69
|
年 |
1965
|
月 |
|
開始ページ |
42(18)
|
終了ページ |
49(25)
|
|
ISSN |
|
ISBN |
|
DOI |
|
URI |
|
JaLCDOI |
|
NII論文ID |
|
医中誌ID |
|
その他ID |
|
博士論文情報 |
学位授与番号 |
|
学位授与年月日 |
|
学位名 |
|
学位授与機関 |
|
|
抄録 |
During the recess time of the repetitive power pulses, the measuring pulses of Icbo (reverse saturation current) which can be arbitrarily varied in their phase, width and height are put into the collector of the transistor under test. Then, the transient temperature of the junction at any instant during the recess interval can be measured successively. With this method, we could know the period from switch-in of the power pulse up to thermal steady state of the junction and the behavior of the temperature decay during the recess of the power pluses. Also we could estimate the maximum temperature rise of the junction right after the power pulses are off in the duration.
Consequently, it is found that there occur local spots in the junction more highly heated than expected.
At first, for the temperature measurements, we must make a calibration curve with Icbo vs. Tj (junction temperature) corresponding to each one of transistors using a constant temperature bath.
|
|
目次 |
|
キーワード |
|
NDC |
|
注記 |
|
言語 |
|
資源タイプ |
|
ジャンル |
Departmental Bulletin Paper
|
|
著者版フラグ |
|
関連DOI |
|
アクセス条件 |
|
最終更新日 |
|
作成日 |
|
所有者 |
|
更新履歴 |
|
インデックス |
|
関連アイテム |
|