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KAKEN_26630300seika  
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本文公開日
 
タイトル
タイトル MEMSによるナノカーボン歪印加素子開発と連続可変電子状態制御  
カナ MEMS ニ ヨル ナノカーボン ヒズミ インカ ソシ カイハツ ト レンゾク カヘン デンシ ジョウタイ セイギョ  
ローマ字 MEMS ni yoru nanokabon hizumi inka soshi kaihatsu to renzoku kahen denshi jotai seigyo  
別タイトル
名前 Development of CNT-strain device with MEMS technique and electronic state control  
カナ  
ローマ字  
著者
名前 牧, 英之  
カナ マキ, ヒデユキ  
ローマ字 Maki, Hideyuki  
所属 慶應義塾大学・理工学部・准教授  
所属(翻訳)  
役割 Research team head  
外部リンク 科研費研究者番号 : 10339715
 
出版地
 
出版者
名前  
カナ  
ローマ字  
日付
出版年(from:yyyy) 2016  
出版年(to:yyyy)  
作成日(yyyy-mm-dd)  
更新日(yyyy-mm-dd)  
記録日(yyyy-mm-dd)  
形態
1 pdf  
上位タイトル
名前 科学研究費補助金研究成果報告書  
翻訳  
 
 
2015  
 
開始ページ  
終了ページ  
ISSN
 
ISBN
 
DOI
URI
JaLCDOI
NII論文ID
 
医中誌ID
 
その他ID
 
博士論文情報
学位授与番号  
学位授与年月日  
学位名  
学位授与機関  
抄録
通常の半導体材料では, バンドエンジニアリングは組成制御やドーピングにより行われるため, 外部から変調することは難しい。本研究では, 次世代バンドエンジニアリングとしてナノカーボンに注目し, MEMS技術を用いた歪印加素子を開発し, 歪によるバンドギャップ変調技術の構築を行った。その結果, カーボンナノチューブへ歪印加可能なデバイス作製に成功し歪印加によるPL波長シフトの観測に成功した。
For conventional semiconducting materials, band-gap engineering is realized by the composition control and doping. In this study, we focused on carbon nanotubes as a new material for band-gap engineering. We developed a strain device with MEMS technology, and we established the band-gap modulation technique with strain. We fabricated the CNT-strain devices, and we observed the emission wavelength shift under strain.
 
目次

 
キーワード
カーボンナノチューブ  

半導体物性  

光物性  
NDC
 
注記
研究種目 : 挑戦的萌芽研究
研究期間 : 2014~2015
課題番号 : 26630300
研究分野 : 半導体工学
 
言語
日本語  

英語  
資源タイプ
text  
ジャンル
Research Paper  
著者版フラグ
publisher  
関連DOI
アクセス条件

 
最終更新日
Dec 27, 2016 11:19:08  
作成日
Dec 27, 2016 11:19:08  
所有者
mediacenter
 
更新履歴
 
インデックス
/ Public / 科学研究費補助金研究成果報告書 / 2015年度 / 日本学術振興会
 
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