アイテムタイプ |
Article |
ID |
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プレビュー |
画像 |
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キャプション |
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本文 |
KAKEN_26630300seika.pdf
Type |
:application/pdf |
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Size |
:232.4 KB
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Last updated |
:Jan 6, 2017 |
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本文公開日 |
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タイトル |
タイトル |
MEMSによるナノカーボン歪印加素子開発と連続可変電子状態制御
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カナ |
MEMS ニ ヨル ナノカーボン ヒズミ インカ ソシ カイハツ ト レンゾク カヘン デンシ ジョウタイ セイギョ
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ローマ字 |
MEMS ni yoru nanokabon hizumi inka soshi kaihatsu to renzoku kahen denshi jotai seigyo
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別タイトル |
名前 |
Development of CNT-strain device with MEMS technique and electronic state control
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カナ |
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ローマ字 |
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著者 |
名前 |
牧, 英之
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カナ |
マキ, ヒデユキ
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ローマ字 |
Maki, Hideyuki
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所属 |
慶應義塾大学・理工学部・准教授
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所属(翻訳) |
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役割 |
Research team head
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外部リンク |
科研費研究者番号 : 10339715
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版 |
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出版地 |
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出版者 |
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日付 |
出版年(from:yyyy) |
2016
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出版年(to:yyyy) |
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作成日(yyyy-mm-dd) |
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更新日(yyyy-mm-dd) |
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記録日(yyyy-mm-dd) |
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形態 |
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上位タイトル |
名前 |
科学研究費補助金研究成果報告書
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翻訳 |
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巻 |
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号 |
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年 |
2015
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月 |
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開始ページ |
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終了ページ |
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ISSN |
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ISBN |
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DOI |
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URI |
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JaLCDOI |
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NII論文ID |
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医中誌ID |
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その他ID |
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博士論文情報 |
学位授与番号 |
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学位授与年月日 |
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学位名 |
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学位授与機関 |
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抄録 |
通常の半導体材料では, バンドエンジニアリングは組成制御やドーピングにより行われるため, 外部から変調することは難しい。本研究では, 次世代バンドエンジニアリングとしてナノカーボンに注目し, MEMS技術を用いた歪印加素子を開発し, 歪によるバンドギャップ変調技術の構築を行った。その結果, カーボンナノチューブへ歪印加可能なデバイス作製に成功し歪印加によるPL波長シフトの観測に成功した。
For conventional semiconducting materials, band-gap engineering is realized by the composition control and doping. In this study, we focused on carbon nanotubes as a new material for band-gap engineering. We developed a strain device with MEMS technology, and we established the band-gap modulation technique with strain. We fabricated the CNT-strain devices, and we observed the emission wavelength shift under strain.
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目次 |
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キーワード |
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NDC |
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注記 |
研究種目 : 挑戦的萌芽研究
研究期間 : 2014~2015
課題番号 : 26630300
研究分野 : 半導体工学
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資源タイプ |
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ジャンル |
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著者版フラグ |
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関連DOI |
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アクセス条件 |
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関連アイテム |
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