| アイテムタイプ |
Article |
| ID |
|
| プレビュー |
| 画像 |
|
| キャプション |
|
|
| 本文 |
KAKEN_18360027seika.pdf
| Type |
:application/pdf |
Download
|
| Size |
:379.1 KB
|
| Last updated |
:Dec 26, 2009 |
| Downloads |
: 1603 |
Total downloads since Dec 26, 2009 : 1603
|
|
| 本文公開日 |
|
| タイトル |
| タイトル |
シリコンナノ構造酸化の窒素添加による制御
|
| カナ |
シリコン ナノ コウゾウ サンカ ノ チッソ テンカ ニ ヨル セイギョ
|
| ローマ字 |
shirikon nano kozo sanka no chisso tenka ni yoru seigyo
|
|
| 別タイトル |
| 名前 |
Control of Silicon Nanostructure Oxidation by Nitrogen Doping
|
| カナ |
|
| ローマ字 |
|
|
| 著者 |
| 名前 |
植松, 真司
|
| カナ |
ウエマツ, マサシ
|
| ローマ字 |
UEMATSU, MASASHI
|
| 所属 |
慶應義塾大学・大学院理工学研究科・教授
|
| 所属(翻訳) |
|
| 役割 |
Research team head
|
| 外部リンク |
科研費研究者番号：60393758
|
| 名前 |
影島, 博之
|
| カナ |
カゲシマ, ヒロユキ
|
| ローマ字 |
KAGESHIMA, HIROYUKI
|
| 所属 |
日本電信電話株式会社・NTT物性科学基礎研究所・量子電子物性研究部・主任研究員
|
| 所属(翻訳) |
|
| 役割 |
Research team member
|
| 外部リンク |
科研費研究者番号：70374072
|
| 名前 |
渡邉, 孝信
|
| カナ |
ワタナベ, タカノブ
|
| ローマ字 |
WATANABE, TAKANOBU
|
| 所属 |
早稲田大学・理工学術院・准教授
|
| 所属(翻訳) |
|
| 役割 |
Research team member
|
| 外部リンク |
科研費研究者番号：00367153
|
| 名前 |
白石, 賢二
|
| カナ |
シライシ, ケンジ
|
| ローマ字 |
SHIRAISHI, KENJI
|
| 所属 |
筑波大学・数理物質科学研究科・教授
|
| 所属(翻訳) |
|
| 役割 |
Research team member
|
| 外部リンク |
科研費研究者番号：20334039
|
| 名前 |
伊藤, 公平
 |
| カナ |
イトウ, コウヘイ
|
| ローマ字 |
ITO, KOHEI
|
| 所属 |
慶應義塾大学・理工学部・教授
|
| 所属(翻訳) |
|
| 役割 |
Research team member
|
| 外部リンク |
科研費研究者番号：30276414
|
| 名前 |
秋山, 亨
|
| カナ |
アキヤマ, トオル
|
| ローマ字 |
AKIYAMA, TORU
|
| 所属 |
三重大学・工学部・助教
|
| 所属(翻訳) |
|
| 役割 |
Research team member
|
| 外部リンク |
科研費研究者番号：40362363
|
|
| 版 |
|
| 出版地 |
|
| 出版者 |
|
| 日付 |
| 出版年(from:yyyy) |
2009
|
| 出版年(to:yyyy) |
|
| 作成日(yyyy-mm-dd) |
|
| 更新日(yyyy-mm-dd) |
|
| 記録日(yyyy-mm-dd) |
|
|
| 形態 |
|
| 上位タイトル |
| 名前 |
科学研究費補助金研究成果報告書
|
| 翻訳 |
|
| 巻 |
|
| 号 |
|
| 年 |
2008
|
| 月 |
|
| 開始ページ |
|
| 終了ページ |
|
|
| ISSN |
|
| ISBN |
|
| DOI |
|
| URI |
|
| JaLCDOI |
|
| NII論文ID |
|
| 医中誌ID |
|
| その他ID |
|
| 博士論文情報 |
| 学位授与番号 |
|
| 学位授与年月日 |
|
| 学位名 |
|
| 学位授与機関 |
|
|
| 抄録 |
シリコンナノ構造の酸化において、酸化膜に窒素を添加することにより、酸化形状の制御、および、酸化誘起歪・応力を変調できることを明らかにした。酸化膜への窒素添加の効果を原子レベル理論計算、マクロレベルシミュレーション計算で予測し、ナノ構造酸窒化実験を行った。窒素をシリコン・酸化膜界面へ局所的に導入することにより酸化膜の粘性が増加し、シリコン内部に生じる歪・応力が大きくなることを明らかにした。これにより窒素添加が単電子トランジスタの室温動作実現に有効であることを示した。
|
|
| 目次 |
|
| キーワード |
|
| NDC |
|
| 注記 |
研究種目：基盤研究(B)
研究期間：2006～2008
課題番号：18360027
研究分野：工学
科研費の分科・細目：応用物理学・工学基礎、薄膜・表面界面物性
|
|
| 言語 |
|
| 資源タイプ |
|
| ジャンル |
|
| 著者版フラグ |
|
| 関連DOI |
|
| アクセス条件 |
|
| 最終更新日 |
|
| 作成日 |
|
| 所有者 |
|
| 更新履歴 |
| Dec 7, 2011 | | コメント, フリーキーワード, キーワード を変更 |
| Dec 7, 2011 | | フリーキーワード, キーワード を変更 |
|
|
| インデックス |
|
| 関連アイテム |
|
